Caracterização de transistor bipolar de Junção para medição em feixes de radioterapia
Transistores bipolares de junção - TBJ possuem uma característica inerente à sua construção física que é o fator de amplificação do sinal produzido, ou seja, amplificação da corrente. Fótons de megavoltagem, ao interagirem com o material semicondutor são capazes de produzir o que é chamado de fot...
| Main Author: | SILVA, Malana Marcelina Almeida da |
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| Other Authors: | SANTOS, Luiz Antônio Pereira dos |
| Format: | masterThesis |
| Language: | por |
| Published: |
Universidade Federal de Pernambuco
2017
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| Subjects: | |
| Online Access: |
https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/18420 |
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| Summary: |
Transistores bipolares de junção - TBJ possuem uma característica inerente à sua construção
física que é o fator de amplificação do sinal produzido, ou seja, amplificação da corrente. Fótons
de megavoltagem, ao interagirem com o material semicondutor são capazes de produzir o que
é chamado de fotocorrente, ao mesmo tempo em que provocam danos na estrutura cristalina do
transistor. O objetivo desta dissertação foi caracterizar o TBJ do tipo BC846 para feixes de
fótons de megavoltagem com a finalidade de entender o comportamento deste dispositivo para
que futuramente seja desenvolvido um novo método dosimétrico visando complementar os
métodos já existentes. O estudo concerniu em caracterizar um TBJ para se analisar como tal
dispositivo eletrônico pode ser utilizado como detector de radiação no modo ativo, isto é, em
mensurar em tempo real a dose, taxa de dose, dependência energética, e os efeitos direcional e
de tamanho de campo de irradiação. Os experimentos foram realizados utilizando um simulador
de placas de água sólida com o transistor posicionado no eixo central do feixe em uma
profundidade de 5 cm, tamanho de campo padrão, 10 x 10 cm², e uma distância fonte-superfície
de 100 cm. Os resultados mostram que o TBJ pode funcionar como detector em feixes de
radioterapia desde que seja obedecido certos critérios técnicos relacionados ao comportamento
elétrico do dispositivo antes e durante a irradiação. Uma perda percentual média de ±3% na
sensibilidade do dispositivo foi registrada após cada irradiação. Essa variação guarda uma
proporcionalidade com a dose absorvida e foi encontrada resposta semelhante mesmo com
transistores que possuem diferentes fatores de amplificação da corrente. |
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