Staff View: Técnica de projeto de amplificador de potência classe E aplicado a IEEE 802.15.4

Técnica de projeto de amplificador de potência classe E aplicado a IEEE 802.15.4

Esta dissertação apresenta o projeto e implementação de um amplificador de potência classe E com especificação que está de acordo com o sugerido pelo padrão IEEE 802.15.4. Para o projeto é assumido que o indutor choke é infinito e o transistor MOS é uma chave ideal. Os componentes da rede passiva de...

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Main Author:	MENEZES, Diego Dias de
Other Authors:	SANTOS, Edval José Pinheiro
Format:	masterThesis
Language:	por
Published:	Universidade Federal de Pernambuco 2019
Subjects:	Engenharia Elétrica Amplificador de potência Classe E IEEE 802.15.4 Rede de sensores sem fio
Online Access:	https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/29324
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spelling	ir-123456789-293242019-02-21T05:06:24Z Técnica de projeto de amplificador de potência classe E aplicado a IEEE 802.15.4 MENEZES, Diego Dias de SANTOS, Edval José Pinheiro http://lattes.cnpq.br/0789663170996247 http://lattes.cnpq.br/5004995591592434 Engenharia Elétrica Amplificador de potência Classe E IEEE 802.15.4 Rede de sensores sem fio Esta dissertação apresenta o projeto e implementação de um amplificador de potência classe E com especificação que está de acordo com o sugerido pelo padrão IEEE 802.15.4. Para o projeto é assumido que o indutor choke é infinito e o transistor MOS é uma chave ideal. Os componentes da rede passiva de saída do amplificador foram ajustados via simulação, utilizando modelos reais do transistor. Foram feitas duas implementações do amplificador, uma integrada, e outra, discreta. Na implementação integrada, com potência de saída de 250 mW, tensão de alimentação de 2 V , freqüência de transmissão de 915 MHz, e fator de qualidade da rede passiva de saída de 5, foi utilizada a tecnologia 0, 35 μm, processo c35b4, da Austriamicrosystems. O projeto seguiu dois fluxos, um com as ferramentas profissionais da Mentor Graphics, e outro com ferramentas gratuitas, Electric e SpiceOpus. Na implementação discreta, com potência de saída de 3 W, alimentação de 12, 5 V e freqüência de transmissão de 520 MHz, foi utilizado o transistor MRF1513N. A implementação discreta foi realizada para validar a metodologia de projeto usada no caso da implementação integrada. Também foi projetado o circuito de interface entre o modulador Offset Quadrature Phase-Shift Keying - OQPSK e o amplificador. This dissertation presents the design and implementation of a compliant IEEE 802.15.4 class E power amplifier. The choke inductor is assumed to be infinite and the MOS transistor is assumed to be an ideal switch. The passive load network components were adjusted via simulation using real transistor models. Two implementations of the power amplifier were done, one integrated and other discrete. The integrated implementation has an output power of 250 mW, a supply voltage of 2 V , carrier frequency of 915 MHz, and load network quality factor of 5. The 0.35 μm technology, c35b4 process, of Austriamicrosystems was used for the integrated power amplifier design. Two design flows were followed, one flow using the Mentor Graphics professionals tools, and the other flow using only free tools, like Electric and SpiceOpus. The discrete implementation has an output power of 3 W, a supply voltage of 12.5 V , a carrier frequency of 520 MHz and used the off-the-shelf MRF1513N NMOS transistor component. The discrete implementation was done to validate the design methodology followed in the case of the integrated implementation. It was also designed the interface circuit between the OQPSK modulator and the power amplifier. 2019-02-20T18:58:50Z 2019-02-20T18:58:50Z 2010-02-19 masterThesis https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/29324 por openAccess Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Brazil http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/br/ Universidade Federal de Pernambuco UFPE Brasil Programa de Pos Graduacao em Engenharia Eletrica
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Técnica de projeto de amplificador de potência classe E aplicado a IEEE 802.15.4

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