DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS

DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUÍDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS. Refere-se a presente invenção a um dispositivo nanométrico sem icond utor constituído de uma heterojunção polímero condutor (PANI) e óxido de zinco (ZnO), cujo monitoramento das prop...

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Main Authors: AZEVEDO, WALTER, JUNIOR, ERONILDES, FELIZ, JORLANDIO, VASCONCELOS, ELDER
Format: Pedidos de patente
Language: por
Published: UFPE 2019
Online Access: https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/35787
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id ir-123456789-35787
recordtype dspace
spelling ir-123456789-357872019-12-17T05:14:02Z DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS AZEVEDO, WALTER JUNIOR, ERONILDES FELIZ, JORLANDIO VASCONCELOS, ELDER DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUÍDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS. Refere-se a presente invenção a um dispositivo nanométrico sem icond utor constituído de uma heterojunção polímero condutor (PANI) e óxido de zinco (ZnO), cujo monitoramento das propriedades de dopagem e do grau de oxidação do polímero condutor e das dimensões físicas dos filmes de óxidos de zinco consegue-se obter dispositivos eletrônicos com características elétricas especificas, com esta tecnologia é possível obter uma junção do tipo p-n semicondutora com características de diodo retificador como também obter um dispositivo do tipo Varistor com tensões de ruptura controlada, cujas características inéditas estamos solicitando privilégio de invenção. O dispositivo é composto de um filme metálico, ouro ou alumínio, um filme fino de polianilina de espessura e tamanhos variados, um filme de oxido de zinco de espessura e tamanhos e finalmente contatos metálicos de alumínio ou ouro conforme mostra figura (1). As características elétricas destes novos dispositivos são superiores aos dispositivos comerciais devido ao fato de ser um dispositivo híbrido orgânico o que torna estatecnologia mais barata e mais acessível de ser produzido. Outro aspecto importante é a possibilidade do controle da tensão de ruptura do dispositivo que é obtida em função do grau de dopagem e da espessura dos componentes ativos. 2019-12-16T18:14:38Z 2019-12-16T18:14:38Z 2019-12-16 2011-01-04 2009-04-01 Pedidos de patente PI 0901577-9 A2 https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/35787 H01L 21/02 por openAccess application/pdf application/pdf UFPE
institution REPOSITORIO UFPE
collection REPOSITORIO UFPE
language por
description DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUÍDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS. Refere-se a presente invenção a um dispositivo nanométrico sem icond utor constituído de uma heterojunção polímero condutor (PANI) e óxido de zinco (ZnO), cujo monitoramento das propriedades de dopagem e do grau de oxidação do polímero condutor e das dimensões físicas dos filmes de óxidos de zinco consegue-se obter dispositivos eletrônicos com características elétricas especificas, com esta tecnologia é possível obter uma junção do tipo p-n semicondutora com características de diodo retificador como também obter um dispositivo do tipo Varistor com tensões de ruptura controlada, cujas características inéditas estamos solicitando privilégio de invenção. O dispositivo é composto de um filme metálico, ouro ou alumínio, um filme fino de polianilina de espessura e tamanhos variados, um filme de oxido de zinco de espessura e tamanhos e finalmente contatos metálicos de alumínio ou ouro conforme mostra figura (1). As características elétricas destes novos dispositivos são superiores aos dispositivos comerciais devido ao fato de ser um dispositivo híbrido orgânico o que torna estatecnologia mais barata e mais acessível de ser produzido. Outro aspecto importante é a possibilidade do controle da tensão de ruptura do dispositivo que é obtida em função do grau de dopagem e da espessura dos componentes ativos.
format Pedidos de patente
author AZEVEDO, WALTER
JUNIOR, ERONILDES
FELIZ, JORLANDIO
VASCONCELOS, ELDER
spellingShingle AZEVEDO, WALTER
JUNIOR, ERONILDES
FELIZ, JORLANDIO
VASCONCELOS, ELDER
DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS
author_sort AZEVEDO, WALTER
title DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS
title_short DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS
title_full DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS
title_fullStr DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS
title_full_unstemmed DISPOSITIVO SEMICONDUTOR NANOESTRUTURADO DO TIPO VARISTOR CONSTITUIDO DE POLIMERO CONDUTOR E OXIDO DE ZINCO E METAIS
title_sort dispositivo semicondutor nanoestruturado do tipo varistor constituido de polimero condutor e oxido de zinco e metais
publisher UFPE
publishDate 2019
url https://repositorio.ufpe.br/handle/123456789/35787
_version_ 1658901852955082752
score 13.657419